J112RL1G

功能描述:JFET 35V 10mA

RoHS:

制造商:ON Semiconductor

晶体管极性:N-Channel

漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA

漏源电压 VDS:15 V

闸/源击穿电压:

漏极连续电流:50 mA

配置:

安装风格:

封装 / 箱体:SC-59

封装:Reel

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